據(jù)韓國媒體報道,為了滿足PC、智能手機市場對NAND閃存的持續(xù)高需求,Intel正在與中國紫光集團談判,授權其生產64層3D NAND閃存。這種閃存技術來自Intel、美光合資的IMFlash,不過到明年初,雙方將結束合作,各自獨立優(yōu)化自己的產品和服務,同時Intel會把所持股份幾乎全部賣給美光,從中脫身。

Intel授權生產64層3D NAND閃存

Intel當前使用和供應的閃存都來自IMFlash,如果完全獨立勢必會大大影響產能和供應量,而當前閃存市場需求又持續(xù)高位,Intel迫切需要一個新的伙伴。

而紫光是中國半導體行業(yè)發(fā)展中大力扶持的關鍵對象。未來五年,中國將在半導體行業(yè)投入1萬億元人民幣,目標是到2025年將自主產能提高到70%,紫光自然扮演著極為關鍵的角色。

目前,紫光已經投資300億美元,在南京興建自己的內存、閃存工廠,還與建興聯(lián)合在蘇州興建SSD開發(fā)制造工廠。如此一來,紫光能得到Intel的垂青,也毫不意外。目前還不清楚Intel、紫光授權的具體內容,是單純的制造授權,還是更高級的技術授權。

如果是后者,紫光還能將Intel閃存用于自家產品,在自主閃存尚不完全成熟的情況下可以作為一個補充,但也希望自主閃存不要因此荒廢了自己,畢竟這種教訓實在太多了。

無論如何,這對紫光來說都是一次極好的發(fā)展機遇,可以與當今世界上最先進的閃存技術零距離接觸,對增強自身技術實力有莫大好處。 另外,IMFlash還在開發(fā)新一代96層堆疊3D閃存,并輔以10nm級別制造工藝,容量密度將比現(xiàn)在的64層提高一倍,未來也有望落戶紫光。