最近，一張印有紫光國芯（UniIC）LOGO的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存。一開始大家還不太相信圖片的真實性，因為貼紙上出現(xiàn)了PC3-12800U的字樣，對應的其實是DDR3 1600內(nèi)存。但是最后紫光官方竟然主動承認了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實有相關的計劃。

12月26日上午，紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動平臺上發(fā)出了正式回應，他們表示上述關于DDR4產(chǎn)品的報道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實在開展DDR4存儲芯片和模組的設計與開發(fā)工作，而按照計劃，該產(chǎn)品將會在明年逐步推向市場，這也意味著國內(nèi)首條自主研發(fā)DDR4內(nèi)存確認將會在明年問世。其實早在今年3月份，紫光國芯的DDR4和LPDDR4內(nèi)存就已經(jīng)通過了科技成果評價。

現(xiàn)在紫光其實是有DDR3閃存在售的，在網(wǎng)友們測試之后也紛紛表示雖然不支持XMP等功能，超頻到1866也能夠正常運行，已經(jīng)達到了可以穩(wěn)定使用的水準，所以對于下一代DDR4內(nèi)存，我們也是對紫光保有更大的期待。

而在今年 1月，紫光也宣布投資2000億元在南京建設半導體產(chǎn)業(yè)基地，建成后月產(chǎn)晶圓10萬片，是中國規(guī)模最大的芯片制造工廠。同時紫光也投資了長江存儲，計劃打造國產(chǎn)的3D NAND閃存，所以未來紫光的努力或許會在芯片、DRAM和閃存等多個領域開花結(jié)果，而這或許會幫助紫光成為世界范圍內(nèi)為數(shù)不多能夠自設計、自生產(chǎn)、自銷售的半導體企業(yè)。